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价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 通用, 80 A, 2.3 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚88905-49￥18.287150-199￥17.5056200-499￥17.0680500-999￥16.95861000-2499￥16.84912500-4999￥16.72415000-7499￥16.6460≥7500￥16.5678 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。38065-49￥15.444050-199￥14.7840200-499￥14.4144500-999￥14.32201000-2499￥14.22962500-4999￥14.12405000-7499￥14.0580≥7500￥13.9920 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube15095-49￥29.039450-199￥27.7984200-499￥27.1034500-999￥26.92971000-2499￥26.75602500-4999￥26.55745000-7499￥26.4333≥7500￥26.3092 -
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 通用, 40 A, 600 V, 165 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚45245-49￥14.121950-199￥13.5184200-499￥13.1804500-999￥13.09601000-2499￥13.01152500-4999￥12.91495000-7499￥12.8546≥7500￥12.7942 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3Pin TO-247 Tube56945-49￥24.406250-199￥23.3632200-499￥22.7791500-999￥22.63311000-2499￥22.48712500-4999￥22.32025000-7499￥22.2159≥7500￥22.1116 -
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品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。42625-49￥29.612750-199￥28.3472200-499￥27.6385500-999￥27.46141000-2499￥27.28422500-4999￥27.08175000-7499￥26.9552≥7500￥26.8286 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3Pin TO-247 Tube81395-49￥24.406250-199￥23.3632200-499￥22.7791500-999￥22.63311000-2499￥22.48712500-4999￥22.32025000-7499￥22.2159≥7500￥22.1116 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。39025-49￥19.527350-199￥18.6928200-499￥18.2255500-999￥18.10871000-2499￥17.99182500-4999￥17.85835000-7499￥17.7749≥7500￥17.6914 -
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品类: MOS管描述: 场效应管(MOSFET) IPW65R048CFDA TO-247-367591-9￥51.569410-99￥48.6105100-249￥46.4125250-499￥46.0743500-999￥45.73611000-2499￥45.35572500-4999￥45.0176≥5000￥44.8062 -
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品类: MOS管描述: SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。50901-9￥76.452010-99￥73.1280100-249￥72.5297250-499￥72.0643500-999￥71.33301000-2499￥71.00062500-4999￥70.5353≥5000￥70.1364 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 600V 76A Automotive 3Pin(3+Tab) TO-247 Rail73321-9￥96.968010-99￥92.7520100-249￥91.9931250-499￥91.4029500-999￥90.47541000-2499￥90.05382500-4999￥89.4635≥5000￥88.9576 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A Automotive 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube73075-49￥27.682250-199￥26.4992200-499￥25.8367500-999￥25.67111000-2499￥25.50552500-4999￥25.31625000-7499￥25.1979≥7500￥25.0796 -
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品类: MOS管描述: Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFET Wolfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET，可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率，并降低了冷却要求，以提高整体系统工作效率。 增强模式 N 通道 SiC 技术 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V 多个设备易于并行且易于驱动 高速切换，具有低接通电阻 防闩锁操作 ### MOSFET 晶体管，Wolfspeed27621-9￥74.439510-99￥71.2030100-249￥70.6204250-499￥70.1673500-999￥69.45531000-2499￥69.13162500-4999￥68.6785≥5000￥68.2902 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 75V 200A 3Pin(3+Tab) TO-24796645-49￥15.619550-199￥14.9520200-499￥14.5782500-999￥14.48481000-2499￥14.39132500-4999￥14.28455000-7499￥14.2178≥7500￥14.1510 -
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品类: MOS管描述: N沟道 1.5kV 12A48901-9￥94.265510-99￥90.1670100-249￥89.4293250-499￥88.8555500-999￥87.95381000-2499￥87.54402500-4999￥86.9702≥5000￥86.4784 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列 一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备1254 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。3504 -
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品类: MOS管描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXFH120N15P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 120 A, 150 V, 16 mohm, 10 V, 5 V5900 -
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品类: IGBT晶体管描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXA33IF1200HB 单晶体管, IGBT, 58 A, 2.1 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚51031-9￥54.851210-99￥51.7040100-249￥49.3661250-499￥49.0064500-999￥48.64671000-2499￥48.24212500-4999￥47.8824≥5000￥47.6576
